CSD18532NQ5B

物料型号：CSD18532NQ5B

器件简介：这是一款60V、2.7mΩ的NexFET™功率MOSFET，设计用于最小化功率转换应用中的损耗。

引脚分配：文档中提供了顶视图，显示了D（漏极）、S（源极）、G（栅极）的引脚位置。

参数特性： - 漏源电压（Vos）：60V - 栅极电荷（Q）：49nC（在10V下） - 栅漏极电荷（Qgd）：7.9nC - 导通电阻（Ros(on)）：在Vas=6V时为3.5mΩ，Vas=10V时为2.7mΩ - 阈值电压（VGs(h)）：2.8V

功能详解： - 该MOSFET具有超低的栅极电荷和栅漏极电荷，低热阻，雪崩额定，无铅终端镀层，符合RoHS标准。 - 它适用于DC-DC转换、次级侧同步整流、隔离式转换器的初级侧开关和电机控制等应用。

应用信息： - 器件信息包括在DC-DC转换、次级侧同步整流、隔离式转换器的初级侧开关和电机控制中的应用。

封装信息： - 提供了5mm x 6mm的SON塑料封装，以及13英寸卷带和7英寸卷带的包装选项。