CSD18534KCS

1. 物料型号： - 型号：CSD18534KCS - 封装：TO-220 Plastic Package

2. 器件简介： - 该型号为60V N-Channel NexFET™ Power MOSFET，具有7.6mΩ的导通电阻，旨在降低功率转换应用中的损耗。

3. 引脚分配： - 器件采用TO-220封装，具有3个引脚。

4. 参数特性： - 绝对最大额定值： - 漏源电压（Vos）：60V - 栅源电压（VGs）：±20V - 连续漏极电流（Id）：100A（封装限制），73A（硅片限制于25°C时），52A（硅片限制于100°C时） - 功耗（Pd）：107W - 工作结温和储存温度范围（TJ, Tstg）：-55至175°C - 雪崩能量（EAS）：72mJ - 电气特性： - 阈值电压（VGs(th)）：1.9V - 导通电阻（Rds(on)）：在Vos=4.5V时为10.2mΩ，VGs=10V时为7.6mΩ - 总栅极电荷（Qg）：19nC（在10V下） - 栅极-漏极电荷（Qgd）：3.1nC

5. 功能详解： - 超低的栅极电荷（Qg）和栅极-漏极电荷（Qgd）有助于减少开关损耗。 - 雪崩额定，适用于需要高能量耐受的应用。 - 逻辑电平兼容，适用于与微控制器或逻辑电路接口。 - Pb-Free终端镀层，符合环保要求。

6. 应用信息： - 适用于DC-DC转换的次级侧同步整流和电机控制应用。

7. 封装信息： - TO-220塑料封装，符合RoHS和无卤素要求。 - 器件标记：CSD18534KCS - 样品可用。