CSD18540Q5B

物料型号：CSD18540Q5B

器件简介： - 60V N-Channel NexFET™ Power MOSFET - 具有超低的栅极电荷(Qg)和栅漏电荷(Qgd) - 低热阻 - 雪崩额定 - 无铅终端镀层 - 符合RoHS标准

引脚分配： - D：漏极(Drain) - S：源极(Source) - G：栅极(Gate)

参数特性： - 漏源电压(Vps)：60V - 栅极电荷总和(Qg)：41nC@10V - 栅漏电荷(Qad)：6.7nC - 漏源导通电阻(RDS(on))：2.6mΩ@VGS=4.5V, 1.8mΩ@VGS=10V - 阈值电压(VGS(th))：1.9V

功能详解： - 适用于DC-DC转换、次级侧同步整流、隔离式转换器主侧开关和电机控制等应用。

应用信息： - 适用于需要高效率和低损耗的电源转换应用。

封装信息： - 提供SON 5-mm × 6-mm塑料封装。 - 器件信息包括两种包装选项：2500件/13英寸卷和250件/7英寸卷。