CSD18541F5

物料型号：CSD18541F5

器件简介：这是一款60V N-Channel FemtoFET™ MOSFET，具有低导通电阻、超低栅极电荷(Qg和Qgd)、超小占用空间、低轮廓高度0.36mm、集成ESD保护二极管、无铅和符合RoHS标准。

引脚分配：1号引脚为栅极(Gate)，2号引脚为源极(Source)，3号引脚为漏极(Drain)。

参数特性： - 导通电阻(RpS(on))在Vos 4.5V时典型值为57毫欧 - 阈值电压(Vas(th))典型值为1.75V - 栅极电荷(Qg)在10V时典型值为11纳库 - 栅极到漏极的电荷(Qod)典型值为1.6纳库

功能详解： - 该技术旨在最小化在许多空间受限的工业负载开关应用中的占用空间 - 能够替换标准小信号MOSFETs，同时显著减小占用空间

应用信息： - 优化用于工业负载开关应用 - 优化用于通用开关应用

封装信息： - 封装类型为PICOSTAR，有3000个7英寸卷轴和250个1.53mm x 0.77mm无铅SMD卷轴可供订购

绝对最大额定值包括： - 漏极到源极电压(Vps) 60V - 栅极到源极电压(VGs) ±20V - 连续漏极电流 2.2A - 脉冲漏极电流(IDM) 21A - 功率耗散(Po) 500mW - 工作结温/存储温度(TJ Tsg) -55至150°C - 单脉冲雪崩能量(EAS) 8.2mJ