物料型号:CSD18542KCS
器件简介:60V N-Channel NexFET™ Power MOSFET,设计用于在功率转换应用中最小化损耗。
引脚分配:Drain (Pin 2), Gate (Pin 1), Source (Pin 3)
参数特性:漏源电压 (Vos) 60V,栅极电荷 (Qg) 44nC,栅极电荷 (Qgd) 6.9nC,导通电阻 (Rps(on)) 3.3mΩ至4.0mΩ
功能详解:用于DC-DC转换、次级侧同步整流、电机控制等应用。
应用信息:适用于需要低损耗和高效率的功率转换场景。
封装信息:TO-220塑料封装,符合RoHS标准,无铅终端镀层,无卤素。