CSD19505KCS

物料型号：CSD19505KCS 器件简介：80V N-Channel NexFET™ Power MOSFET，设计用于在功率转换应用中最小化损耗。

引脚分配：Gate (Pin 1), Drain (Pin 2), Source (Pin 3) 参数特性：VDS 80V, Qg 76nC, Qgd 11nC, RDS(on) 2.6mΩ至2.9mΩ, VGS(th) 2.6V 功能详解：超低栅极电荷、低热阻、雪崩额定、无铅终端镀层、符合RoHS和无卤素标准。

应用信息：适用于次级侧同步整流器和电机控制。

封装信息：TO-220塑料封装，典型值单位为摄氏度，订单信息为CSD19505KCS TO-220 Plastic Package Tube 50 Tube。

绝对最大额定值包括VDS 80V, VGS ±20V, ID连续漏极电流150A等。

热信息包括RθJC结到壳热阻0.5°C/W。

电性特性包括静态特性、动态特性和二极管特性。

封装材料信息和封装轮廓图也提供。