CSD19505KTT

物料型号：CSD19505KTT

器件简介： - 80V N-Channel NexFET™功率MOSFET，设计用于最小化功率转换应用中的损耗。 - 特点包括超低栅极电荷(Qg)和栅极-漏极电荷(Qgd)、低热阻、雪崩等级、无铅终端镀层、符合RoHS和无卤素。

引脚分配： - Pin 1: Gate（栅极） - Pin 2/Tab: Drain（漏极） - Pin 3: Source（源极）

参数特性： - 漏源电压(Vps)：80V - 栅极电荷总和(Qg)：76nC（在10V下） - 栅极-漏极电荷(Qad)：11nC - 漏源导通电阻(RoS(om))：在VGs=6V时为2.9mΩ，在Vos=10V时为2.6mΩ - 阈值电压(VGS(th))：2.6V

功能详解： - 适用于次级侧同步整流和电机控制应用。 - 提供了详细的电气特性表，包括静态特性、动态特性和二极管特性。 - 热信息部分提供了结到外壳的热阻(RθJC)和结到环境的热阻(RθJA)。

应用信息： - 设备信息表提供了不同包装选项的订购信息，包括数量、媒介和包装类型。

封装信息： - 提供了KTT封装的尺寸和推荐的PCB布局图案。 - 强调了该封装设计为在板上的热垫上焊接，并提供了相关的应用说明。

注意事项： - 文档最后提供了重要通知和免责声明，强调了TI提供技术和可靠性数据的“现状”和“所有缺陷”，并放弃了所有明示和暗示的保证。