CSD19531Q5A

物料型号：CSD19531Q5A

器件简介：CSD19531Q5A 是德州仪器 (Texas Instruments) 生产的一款 100V N-Channel NexFET™ 功率 MOSFET，采用 SON 5 mm × 6 mm 塑料封装。

该器件设计用于在电源转换应用中最小化损耗，具有超低的 Qg 和 Qgd，低热阻，雪崩额定，无铅终端镀层，符合 RoHS 标准。

引脚分配：文档中提供了顶视图，展示了引脚配置，但未提供具体的引脚编号和功能。

通常，这类 MOSFET 会有源极 (S)、漏极 (D) 和栅极 (G) 引脚。

参数特性： - 漏源电压 (Vps)：100V - 栅电荷总量 (Qg)：37nC（在 10V 电压下） - 栅到漏的栅电荷 (Qgd)：6.6nC - 漏源导通电阻 (RDS(on) at VGS=6V)：6.0mΩ - 阈值电压 (VGS(th))：2.7V

功能详解： - 该 MOSFET 适用于电信设备中的一次侧应用和二次侧同步整流，以及电机控制等应用。

其低导通电阻和低栅电荷有助于减少开关损耗，而雪崩额定则提供了额外的耐用性。

应用信息： - 主要应用于电信设备的一次侧和二次侧同步整流，以及电机控制等。

封装信息： - 封装类型为 SON 5 mm × 6 mm 塑料封装，符合无铅和符合 RoHS 标准的制造工艺。

还提供了适用于自动贴装的卷带选项。

以上信息摘自德州仪器的官方数据手册，涵盖了该器件的主要技术规格和应用场景。

如需更详细的信息，建议查阅完整的数据手册。