CSD19534Q5A

物料型号：CSD19534Q5A 器件简介：100V N-Channel NexFET™ Power MOSFET，设计用于在功率转换应用中最小化损耗。

引脚分配：8引脚SON 5 mm x 6 mm封装。

参数特性： - 漏源电压(Vps)：100V - 栅极电荷(Qg)：17nC（在10V下） - 栅漏电荷(Qgd)：3.2nC - 漏源导通电阻(RDS(on) at VGS=6V)：14.1mΩ - 阈值电压(VGS(th))：2.8V 功能详解：适用于电信、电机控制等应用，具有超低Qg和Qgd，低热阻，雪崩额定，无铅终端镀层，符合RoHS和无卤素要求。

应用信息：主要应用于电信电源的初级侧和电机控制。

封装信息：SON 5 mm x 6 mm塑料封装。

以上信息摘自德州仪器(Texas Instruments)的PDF文档。