物料型号:CSD22206W
器件简介:CSD22206W 是德州仪器公司制造的 8-V P-Channel NexFET 功率 MOSFET,具有超低电阻、小尺寸、环保特性。
引脚分配:A1-Gate, A2/A3/B1/B2/B3-Source, C1/C2/C3-Drain
参数特性:4.7 mΩ 导通电阻,1.5 mm x 1.5 mm 超小尺寸,适用于电池管理、电池保护、负载开关应用。
功能详解:
- 导通电阻 (RDS(on)) 在 VGS=-2.5V 时为 6.8 mΩ,在 VGS=-4.5V 时为 4.7 mΩ。
- 阈值电压 (VGS(th)) 为 -0.7 V。
- 栅极电荷 (Qg) 为 11.2 nC。
应用信息:适用于电池供电的、空间受限的应用。
封装信息:1.50-mm x 1.50-mm 超薄封装,适用于空间受限的设计。
以上信息摘自德州仪器公司提供的 PDF 文档。