0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心
发布
  • 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
CSD22206W

CSD22206W

  • 厂商:

    TI

  • 封装:

  • 描述:

    CSD22206W –8-V P-Channel NexFET Power MOSFET datasheet

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
CSD22206W 数据手册
CSD22206W
物料型号:CSD22206W 器件简介:CSD22206W 是德州仪器公司制造的 8-V P-Channel NexFET 功率 MOSFET,具有超低电阻、小尺寸、环保特性。

引脚分配:A1-Gate, A2/A3/B1/B2/B3-Source, C1/C2/C3-Drain 参数特性:4.7 mΩ 导通电阻,1.5 mm x 1.5 mm 超小尺寸,适用于电池管理、电池保护、负载开关应用。

功能详解: - 导通电阻 (RDS(on)) 在 VGS=-2.5V 时为 6.8 mΩ,在 VGS=-4.5V 时为 4.7 mΩ。

- 阈值电压 (VGS(th)) 为 -0.7 V。

- 栅极电荷 (Qg) 为 11.2 nC。

应用信息:适用于电池供电的、空间受限的应用。

封装信息:1.50-mm x 1.50-mm 超薄封装,适用于空间受限的设计。


以上信息摘自德州仪器公司提供的 PDF 文档。
CSD22206W 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“CSD22206W”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

免费人工找货