CSD23280F3

1. 物料型号： - 型号名称：CSD23280F3 - 封装类型：PICOSTAR (YJM)，3个引脚

2. 器件简介： - CSD23280F3是一款12-V P-Channel FemtoFET™ MOSFET，具有超低导通电阻、超低栅电荷(Qg和Qgd)、高操作漏极电流、超小尺寸（0.73 mm × 0.64 mm）和超低高度（最大高度0.36 mm）。此外，它还集成了ESD保护二极管。

3. 引脚分配： - Pin1: Gate（栅极） - Pin2: Source（源极） - Pin3: Drain（漏极）

4. 参数特性： - VDS（漏源电压）：-12 V - Qg（栅极总电荷）：在4.5 V时为0.95 nC - Qgd（栅极到漏极电荷）：0.068 nC - RDS(on)（导通电阻）：在VGS = –2.5 V时为129 mΩ，在VGS = –4.5 V时为97 mΩ - 阈值电压VGS(th)：-0.65 V

5. 功能详解： - 设计用于手持和移动应用中的最小化占用空间，可以替代标准小信号MOSFETs，同时显著减少占用空间。 - 适用于负载开关应用和通用开关应用、电池应用、手持和移动应用。

6. 应用信息： - 最大额定值包括漏源电压、栅源电压、连续漏极电流、脉冲漏极电流、功率耗散以及ESD保护等级。

7. 封装信息： - 提供3000个/卷和250个/卷的包装选项。 - 封装类型为PICOSTAR (YJM)，具有3个引脚。 - 封装图纸和尺寸信息在文档中有详细描述。