CSD23382F4

物料型号： - 型号：CSD23382F4

器件简介： - 这是一款12V P沟道FemtoFET™ MOSFET，具有66-mΩ的导通电阻，专为手持和移动应用设计，以最小化占用空间。此技术能够替代标准小信号MOSFET，同时至少减少60%的占用空间。

引脚分配： - Pin 1: Gate（栅极） - Pin 2: Source（源极） - Pin 3: Drain（漏极）

参数特性： - 典型Vos（漏极到源极电压）：-12V - 典型Qgd（栅极到漏极电荷）：0.15nC - 典型RoS(an)（栅极到漏极导通电阻）：在VGs=-1.8V时为149mΩ，在VGs=-2.5V时为90mΩ，在VGs=4.5V时为66mΩ - 典型Vcs(m)（阈值电压）：-0.8V

功能详解： - 器件具有超低的导通电阻和栅极电荷，适合作为负载开关和通用开关应用，特别是在电池应用、手持设备和移动应用中。

应用信息： - 适用于所有可用的封装类型，包括Femto（0402）和1.0mm×0.6mm的Land Grid Array (LGA)。

封装信息： - 提供了详细的机械尺寸、推荐最小PCB布局、推荐模板图案和CSD23382F4压纹载体胶带尺寸。