CSD25304W1015

物料型号：CSD25304W1015 器件简介：CSD25304W1015 是德州仪器生产的 20-V P-Channel NexFET™ 功率MOSFET，具有超低的导通电阻和栅极电荷，小尺寸，低高度，无铅，符合RoHS和无卤素标准。

引脚分配：1号引脚为漏极（Drain），2号引脚为栅极（Gate），其余引脚为源极（Source）。

参数特性：漏源电压（VDS）-20V，栅极电荷总值（Qg）3.3nC，漏源导通电阻（RDS(on)）在不同VGS下分别为65mΩ、36mΩ、27mΩ，阈值电压（VGS(th)）-0.8V。

功能详解：该器件设计用于在小型封装中提供最低的导通电阻和栅极电荷，具有出色的热特性和超低的高度。

应用信息：适用于电池管理、负载开关和电池保护等应用。

封装信息：提供1.0 mm × 1.5 mm的晶圆级封装，封装类型为DSBGA，且符合RoHS和Green标准。