CSD25484F4

1. 物料型号： - 型号：CSD25484F4 - 封装类型：PICOSTAR (YJJ)，3个引脚

2. 器件简介： - CSD25484F4是一款20-V P-Channel FemtoFET™ MOSFET，具有超低导通电阻、超低栅电荷和亚阈值电压，以及超小尺寸（0402封装，1.0 mm × 0.6 mm）和超低高度（0.2-mm）。该器件还集成了ESD保护二极管，符合RoHS标准，无铅和卤素。

3. 引脚分配： - Pin 1: Gate（栅极） - Pin 2: Source（源极） - Pin 3: Drain（漏极）

4. 参数特性： - 漏源电压（Vps）：-20V - 栅电荷总（Qg）：1090pC（在-4.5V下） - 栅极到漏极的栅电荷（Qgd）：150pC - 导通电阻（RDs(on)）：在不同栅源电压下，分别为405mΩ（VGs=-1.8V），150mΩ（VGs=-2.5V），93mΩ（VGs=-4.5V）和80mΩ（VGs=-8.0V） - 阈值电压（VGs(h)）：-0.95V

5. 功能详解： - 该器件设计用于在手持和移动应用中最小化占用空间，能够替代标准小信号MOSFETs，同时至少减少60%的占用空间。

6. 应用信息： - 优化用于负载开关应用、通用开关应用、电池应用以及手持和移动应用。

7. 封装信息： - 提供两种封装选项：CSD25484F4（3000个/7英寸卷轴）和CSD25484F4T（250个/1.00-mmx0.60-mm LGA和卷轴）。 - 封装材料信息和尺寸图已提供，包括带和卷轴的尺寸。