CSD75208W1015

厂商：
TI
封装：
描述：
CSD75208W1015 Dual 20-V Common Source P-Channel NexFET Power MOSFET datasheet (Rev. A)

数据手册：

CSD75208W1015 数据手册

CSD75208W1015

### 物料型号 CSD75208W1015

### 器件简介 CSD75208W1015 是德州仪器生产的双20V共源P沟道NexFET™功率MOSFET。

它具有小尺寸1mm×1.5mm的封装，低导通电阻和低门极电荷特性，适合电池管理、负载开关和电池保护等应用。

### 引脚分配 - B1, B2: 源极(Source) - C1: 栅极1(Gate1) - C2: 漏极1(Drain1) - A2: 栅极2(Gate2) - A1: 漏极2(Drain2)

### 参数特性 - 漏源电压(VDS): -20V - 栅源电压(VGS): -6V - 栅极电荷(Qg): 1.9nC（在-4.5V时） - 导通电阻(RDS(on)): 56mΩ（在-4.5V时）

### 功能详解 该器件具有以下功能特性： - 共源配置 - 门极-源极电压钳位 - 3kV铅免费门极ESD保护 - RoHS合规及无卤素

### 应用信息 - 电池管理 - 负载开关 - 电池保护

### 封装信息 - 封装类型: DSBGA - 引脚数量: 6 - 封装尺寸: 1mm×1.5mm - 包装方式: 7英寸卷带，3000个/卷或250个/卷

### 订购信息 CSD75208W1015和CSD75208W1015T两种封装选项均为活跃状态，符合RoHS和绿色标准，无铅和无卤素。

### 重要通知 - 该数据手册包含技术数据、设计资源、应用建议等，TI提供这些资源“按原样”并带有所有缺陷，不提供任何明示或暗示的保证。

以上信息摘自德州仪器的CSD75208W1015数据手册，详细内容请参考手册全文。

CSD75208W1015 价格&库存

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