CSD86330Q3D

物料型号：CSD86330Q3D

器件简介：CSD86330Q3D是德州仪器（Texas Instruments）生产的同步降压NexFET功率块，具有高电流、高效率和高频率的特点。它采用3.3 mm × 3.3 mm的小尺寸封装，优化了5 V门驱动应用，提供了灵活的解决方案。

引脚分配：该器件有8个引脚，包括两个VIN（输入电压）引脚、TG（控制FET栅极）、TGR（同步FET栅极）、BG（体二极管）、三个Vsw（开关节点）和PGND（电源地）。

参数特性： - 系统效率高达90%，15 A输出 - 最高20 A操作能力 - 高频操作（高达1.5 MHz） - 高密度封装 - 优化的5 V门驱动 - 低开关损耗 - 超低电感封装 - 符合RoHS标准，无卤素，无铅端子镀层

功能详解： - 适用于同步降压转换器、高频应用、高电流低占空比应用、多相同步降压转换器、点对点（POL）直流-直流转换器、集成母线电压调节器（IMVP）、电压调节模块（VRM）和电压降调节器（VRD）应用。

应用信息： - 该器件适用于高性能计算系统中的同步降压拓扑结构，特别强调提高功率半导体在电源阶段的性能，以降低功耗、减少系统运行温度并提高整体系统效率。

封装信息： - 提供13英寸卷轴包装，每个卷轴2500个单位，以及7英寸卷轴包装，每个卷轴250个单位。