物料型号：CSD87330Q3D
器件简介：CSD87330Q3D NexFET™ 功率块是一款针对同步降压应用优化设计的高性能功率器件，提供高电流、高效率和高频能力。
它采用3.3毫米×3.3毫米的小尺寸封装，适用于5V门驱动应用，可与任何外部控制器/驱动器的5V门驱动配合使用，提供高密度电源解决方案。
引脚分配：共9个引脚，VIN（引脚1和2）、VSW（引脚6、7和8）、TG（引脚3）、TGR（引脚4）、BG（引脚5）和PGND（引脚9）。
参数特性：包括高达27V的输入电压、高达90%的系统效率（15A时）、最高20A的操作、高频操作（高达1.5MHz）、优化的5V门驱动、低开关损耗、超低电感封装等。
功能详解：CSD87330Q3D NexFET功率块专为同步降压应用设计，提供高电流、高效率和高频特性。
它采用德州仪器最新的硅技术，优化了开关性能，并最小化了与QGD、QGS和QRR相关的损耗。
此外，采用德州仪器专利的封装技术，通过几乎消除控制FET和同步FET连接之间的寄生元件来最小化损耗。
应用信息：适用于同步降压转换器、高频应用、高电流低占空比应用、多相同步降压转换器、POL直流-直流转换器、IMVP、VRM和VRD应用等。
封装信息：采用小型3.3毫米×3.3毫米的SON封装，提供13英寸卷带包装和7英寸卷带包装。
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