物料型号:CSD87334Q3D
器件简介:CSD87334Q3D NexFET™ 功率块是一种为同步降压和升压应用优化设计的器件,提供高电流、高效率和高频能力,封装尺寸为3.3 mm × 3.3 mm。
引脚分配:VIN(1,2), TG(3), TGR(4), BG(5), VSW(6,7,8), PGND(9)
参数特性:工作电压高达24V,系统效率高达96.1%,支持高达20A操作,高频操作高达1.5 MHz,优化5V门驱动,低开关损耗,超低电感封装。
功能详解:同步降压NexFET功率块,适用于高频和高占空比应用,提供高效率和高功率密度的解决方案。
应用信息:适用于同步降压转换器、高占空比应用、同步升压转换器、POL DC-DC转换器。
封装信息:3.3 mm × 3.3 mm SON封装,符合RoHS标准,无卤素,无铅端子镀层。