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CSD95495QVM

CSD95495QVM

  • 厂商:

    TI

  • 封装:

  • 描述:

    CSD95495QVM Synchronous Buck NexFET Smart Power Stage datasheet (Rev. A)

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
CSD95495QVM 数据手册
CSD95495QVM
物料型号:CSD95495QVM 器件简介:CSD95495QVM NexFET 功率级是德州仪器公司生产的高度优化设计,用于高功率、高密度同步降压转换器。

该产品集成了驱动IC和功率MOSFET,以完成功率级开关功能。

这种组合在小型4毫米×5毫米外形封装中提供了高电流、高效率和高速开关能力。

它还集成了精确的电流感应和温度感应功能,以简化系统设计并提高准确性。

此外,PCB占用面积已优化,有助于减少设计时间并简化整个系统设计的完成。

引脚分配: - REFIN: 外部参考电压输入,用于电流感应放大器。

- IOUT: 当前感应放大器的输出。

- LSET: 从这个引脚到PGND引脚的电阻设置内部电流感应电路的电感值。

- VDD: 栅极驱动器和内部电路的供电电压。

- VOS: 内部电流感应电路的输出电压感应引脚。

- SW: HS MOSFET源和LS MOSFET漏的相节点连接到输出电感的引脚。

- VIN: 输入电压引脚。

- BOOTR: HS栅极驱动的返回路径。

- BOOT: 启动升压电容连接。

- PWM: 三态输入来自外部控制器。

- EN/FCCM: 温度放大器输出。

- TAO/FLT: 温度放大器输出/故障。

- PGND: 电源地。

参数特性: - 50-A 连续操作电流能力。

- 系统效率超过93.5%,在25A时。

- 高频操作(高达1.25MHz)。

- 二极管仿真功能。

- 温度补偿的双向电流感应。

- 3.3V和5V PWM信号兼容。

- 集成升压开关。

- 优化的死区时间用于拍摄通过保护。

- 超低电感封装。

- 系统优化的PCB占用面积。

- 符合RoHS - 无铅端子镀层。

- 无卤素。

功能详解:CSD95495QVM NexFET功率级是为高功率、高密度同步降压转换器而设计的。

它集成了驱动IC和功率MOSFET,以完成功率级开关功能。

这种组合在小型4毫米×5毫米外形封装中提供了高电流、高效率和高速开关能力。

它还集成了精确的电流感应和温度感应功能,以简化系统设计并提高准确性。

应用信息:适用于多相同步降压转换器、高频应用、高电流、低占空比应用、POL DC-DC转换器、内存和图形卡、桌面和服务器VR12.x / VR13.x VRM同步降压转换器。

封装信息:VSON 4.00-mmx5.00-mm封装。
CSD95495QVM 价格&库存

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