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CSD97376Q4M

CSD97376Q4M

  • 厂商:

    TI

  • 封装:

  • 描述:

    CSD97376Q4M Synchronous Buck NexFET™ Power Stage datasheet (Rev. B)

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CSD97376Q4M 数据手册
CSD97376Q4M
1. 物料型号: - 型号:CSD97376Q4M - 封装:VSON-CLIP,DPC(DPak),8引脚 - 状态:ACTIVE(推荐用于新设计) - 环保合规性:RoHS-Exempt & Green(符合欧盟RoHS豁免和绿色标准) - 湿度敏感等级:Level-2-260C-1 YEAR(MSL 2级,峰值温度260°C,一年期限) - 工作温度范围:-40°C至150°C

2. 器件简介: - CSD97376Q4M是一款由德州仪器生产的同步降压NexFET™功率级,具有高达90%的系统效率,最大额定连续电流20A,峰值45A,支持高达2MHz的高频运行。它集成了驱动IC和NexFET技术,以完成功率级开关功能。

3. 引脚分配: - 1号引脚(SKIP#):启用二极管仿真功能。 - 2号引脚(VDD):栅驱动器和内部电路的供电电压。 - 3号引脚(PGND):功率地。 - 4号引脚(VSW):电压开关节点,连接到输出电感器。 - 5号引脚(VIN):输入电压引脚,应靠近此引脚连接输入电容器。 - 6号和7号引脚(BOOT_R):自举电容器连接,自举电容器提供开启控制FET的电荷,自举二极管集成在内部。 - 8号引脚(PWM):脉冲宽度调制三态输入,来自外部控制器。 - 9号引脚(PGND):功率地。

4. 参数特性: - 系统效率:在15A时达到90%。 - 待机电流:在PWM输入为三态时,典型值为130µA;当SKIP#为三态时,降至8µA。 - 工作频率:高达2MHz。 - 输入电压:最高24V。 - 封装:3.5mm x 4.5mm,系统优化的PCB布局。

5. 功能详解: - CSD97376Q4M集成了可选择的二极管仿真功能,支持在轻载条件下的DCM操作以提高效率。 - 支持ULQ(超低待机)模式,适用于Windows 8的Connected Standby。 - PWM输入为三态时,待机电流降至130µA,立即响应;SKIP#为三态时,电流降至8µA。 - 提供高电流、高效率和高速开关设备,封装在小型的3.5mm x 4.5mm外形中。

6. 应用信息: - 适用于超极本/笔记本电脑的DC/DC转换器、多相Vcore和DDR解决方案、网络、电信和计算系统中的点载同步降压应用。
CSD97376Q4M 价格&库存

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