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CSD97395Q4M

CSD97395Q4M

  • 厂商:

    TI

  • 封装:

  • 描述:

    CSD97395Q4M Synchronous Buck NexFET Power Stage datasheet (Rev. A)

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
CSD97395Q4M 数据手册
CSD97395Q4M
1. 物料型号: - 型号:CSD97395Q4M - 封装:VSON-CLIP,8引脚

2. 器件简介: - CSD97395Q4M是德州仪器(Texas Instruments)生产的同步降压NexFET™功率级器件,具有高功率、高密度的特点,适用于同步降压转换器。该产品集成了驱动IC和NexFET技术,以完成功率级开关功能。

3. 引脚分配: - SKIP#:使能二极管仿真功能,低电平时启用同步FET的二极管仿真模式。 - VDD:栅极驱动器和内部电路的供电电压。 - PGND:电源地,需连接到引脚9和PCB。 - Vsw:电压开关节点 - 输出电感的引脚连接。 - VIN:输入电压引脚,需靠近此引脚放置输入电容器。 - BOOT R:自举电容器连接,需在BOOT和BOOT_R引脚之间连接最小0.1μF 16V X5R陶瓷电容器。 - BOOT:自举电容器提供启动控制FET的电荷,自举二极管集成在内部。BOOT_R内部连接到Vsw。 - PWM:脉冲宽度调制3态输入,来自外部控制器。

4. 参数特性: - 系统效率超过92%,在15A最大额定连续电流下,25A峰值60A。 - 高频操作(高达2MHz),高密度 - SON 3.5 mm × 4.5 mm 占位符。 - 超低电感封装系统,优化的PCB占位符。 - 超低静态(ULQ)电流模式,3.3V和5V PWM信号兼容。 - 输入电压高达24V,三态PWM输入。 - 集成自举二极管,防穿保护,无铅终端电镀,符合RoHS - 无铅终端电镀,无卤素。

5. 功能详解: - 该器件集成了驱动IC和NexFET技术,提供了高电流、高效率和高速开关的小型化解决方案。此外,PCB占位符优化有助于减少设计时间并简化整个系统设计的完成。

6. 应用信息: - 适用于超极本/笔记本电脑DC/DC转换器、多相Vcore和DDR解决方案、网络、电信和计算系统中的点负载同步降压。

7. 封装信息: - 提供两种封装选项:CSD97395Q4M(2500个/卷)和CSD97395Q4MT(250个/卷),均为VSON-CLIP 8引脚封装。
CSD97395Q4M 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“CSD97395Q4M”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

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