物料型号:DRV421
器件简介:
- 高精度集成磁通门传感器,具有低偏移和漂移特性。
- 扩展电流测量范围,H桥输出驱动能力为±250 mA。
- 集成的250 mA H桥驱动补偿线圈,提高电流测量范围。
- 诊断功能包括超量程和错误标志。
引脚分配:
- 20引脚WQFN封装。
- 包括地线(GND)、供电(VDD)、补偿线圈驱动(ICOMP1和ICOMP2)、磁通门传感器前端、运放和滤波器、设备控制和退磁等引脚。
参数特性:
- 磁通门传感器前端偏移和漂移:最大±8 μT,典型值+5 nT/°C。
- 增益误差和漂移:最大±0.3%,5 ppm/°C。
- 参考电压:可编程,2.5 V或1.65 V,可选择比率模式。
功能详解:
- 磁通门传感器用于检测磁芯中的磁通量。
- 集成H桥驱动器用于驱动补偿线圈。
- 运放和滤波器用于稳定反馈环路。
- 设备控制包括退磁和诊断功能。
应用信息:
- 适用于闭环直流和交流电流传感器模块。
- 可用于漏电电流传感器、工业监控和控制系统、过流检测、频率、电压和太阳能逆变器等。
封装信息:
- WQFN (20) 4.00 mm × 4.00 mm。