物料型号：EMB1412
- 封装类型：HVSSOP
- 封装尺寸：3.00 mm x 3.00 mm
器件简介：
EMB1412是一款高速、高峰值电流（7A）的单通道MOSFET驱动器。它采用复合输出驱动级，结合了MOS和双极型晶体管，能够优化在宽输出电压和工作温度范围内的电流能力。
引脚分配：
- IN_REF：控制输入的接地参考
- INB：反相输入引脚
- VEE：驱动输出的电源地
- IN：非反相输入引脚
- N/C：未内部连接
- VCC：正电源电压输入
- OUT：栅极驱动输出
- Exposed Pad：暴露的垫片，内部连接到芯片基板
参数特性：
- 工作结温范围：-40°C 至 125°C
- VCC供电电流：1.0 mA 至 2.0 mA
- 输入阈值：高阈值1.3V至2.3V，低阈值0.8V至2.0V
- 输出电阻：高状态30Ω至50Ω，低状态1.4Ω至2.5Ω
- 峰值源电流：3A
- 峰值汇电流：7A
- 传播延迟时间：低至高25ns至40ns，高至低25ns至40ns
- 上升时间：14ns
- 下降时间：12ns
功能详解：
EMB1412包括反相和非反相输入，提供灵活性以使用活动低或活动高逻辑信号驱动MOSFET。驱动输出级由MOS和双极晶体管并行操作，优化了MOSFET VGS的Miller平台区域的高峰值电流，同时MOS设备提供轨到轨的输出摆动。
应用信息：
- 锂离子电池管理系统
- 混合动力和电动汽车
- 电网储能
- 48V系统电源
- 不间断电源(UPS)
封装信息：
EMB1412采用热增强型8引脚VSSOP封装，底部的暴露垫片连接到VEE地引脚，以实现低热阻抗。
