物料型号：LM5109
器件简介：
LM5109是一款低成本的高电压门驱动器，设计用于在同步降压或半桥配置中驱动高侧和低侧N沟道MOSFET。浮动的高侧驱动器能够工作在高达100V的轨电压下。输出由TTL兼容的输入阈值独立控制。一个鲁棒的电平转换技术在高速运行时消耗低功率，并提供清晰的电平转换从控制输入逻辑到高侧门驱动器。在低侧和高侧电源轨上都提供了欠压锁定。该设备提供SOIC-8和热增强型WSON-8两种封装。
引脚分配：
- VDD：正门驱动电源
- HI：高侧控制输入
- LI：低侧控制输入
- Vss：地参考
- LO：低侧栅极驱动器输出
- HS：高侧源连接
- HO：高侧栅极驱动器输出
- HB：高侧栅极驱动器正电源轨
参数特性：
- 峰值输出电流：1A（吸收/源）
- 独立TTL兼容输入
- 引导1000pF负载，上升和下降时间为15ns
- 优秀的传播延迟匹配：典型值为2ns
- 低功耗
- 与ISL6700管脚兼容
功能详解：
LM5109具有以下功能：
- 驱动高侧和低侧N沟道MOSFET
- 提供高达118V DC的自举供电电压
- 快速传播时间（典型值27ns）
- 优秀的传播延迟匹配
- 低功耗消耗
- 轨下电压锁定保护
应用信息：
- 电流馈电推挽转换器
- 半桥和全桥功率转换器
- 固态电机驱动
- 两个开关正向功率转换器
封装信息：
- SOIC-8封装
- WSON-8（4 mm x 4 mm）封装
