LM5110

1. 物料型号： - LM5110

2. 器件简介： - LM5110是一款双通道栅极驱动器，每个通道可以独立驱动两个N沟道MOSFET。它采用复合输出级，结合了MOS和双极晶体管，能够从电容性负载中吸收超过5A的峰值电流。该器件还具有负驱动能力，允许使用正负VGS电压驱动MOSFET栅极。此外，LM5110还提供了欠压锁定保护和关闭输入引脚。

3. 引脚分配： - IN_REF（引脚1）：控制输入的地参考。 - IN_A（引脚2）：'A'侧控制输入。 - VEE（引脚3）：驱动输出的电源地。 - IN_B（引脚4）：'B'侧控制输入。 - OUT_B（引脚5）：'B'侧驱动输出，能够从Vcc到VEE之间摆动。 - Vcc（引脚6）：正电源供应。 - OUT_A（引脚7）：'A'侧驱动输出，能够从Vcc到VEE之间摆动。 - nSHDN（引脚8）：关闭输入引脚。

4. 参数特性： - 能够吸收/源3A/5A的峰值电流。 - 独立的输入（TTL兼容）。 - 快速传播时间（典型25ns）。 - 快速上升和下降时间（14ns/12ns上升/下降，2nF负载）。 - 专用输入地引脚（IN_REF），适用于分压或单电源操作。 - 输出从Vcc摆动到VEE，可以相对于输入地是负的。

5. 功能详解： - LM5110的每个通道都是独立且相同的，能够在并行操作时将驱动电流能力加倍。 - 设计用于在高速开关应用中减少与开关损失相关的开关时间。 - 负偏置能力允许在MOSFET关闭时提供更健壮和可靠的状态。 - 欠压锁定（UVLO）电路在Vcc到IN_REF电压差低于2.7V时禁用两个驱动通道。

6. 应用信息： - 同步整流栅极驱动。 - 开关模式电源栅极驱动。 - 电磁和电机驱动。

7. 封装信息： - SOIC-8封装尺寸：4.90 mm x 3.91 mm。 - WSON-10封装尺寸：4.00 mm x 4.00 mm。