LM5111

物料型号： - LM5111，有SOIC（8引脚）和MSOP-PowerPAD（8引脚）两种封装方式。

器件简介： - LM5111可以独立驱动两个N沟道MOSFET，其复合CMOS和双极型输出减少输出电流变化，能够并行连接以超过5-A的峰值吸收电流，适用于驱动独特电容性负载的MOS和双极型晶体管。

引脚分配： - IN_A（引脚2）：A侧控制输入，TTL兼容阈值。 - IN_B（引脚4）：B侧控制输入，TTL兼容阈值。 - OUT_A（引脚7）：A侧驱动输出，电压摆动范围从VCC到VEE，输出级能够源3A和吸收5A电流。 - OUT_B（引脚5）：B侧驱动输出，与OUT_A类似。 - VCC（引脚6）：正输出电源，需要在VEE处进行局部解耦。 - VEE（引脚3）：输入和输出的地参考，连接到电源地。 - NC（引脚1和8）：无连接。 - 暴露的垫（仅MSOP-PowerPAD封装）：建议将底部的暴露垫焊接到PC板上的接地层，以帮助散热。

参数特性： - 供电轨欠压锁定保护（UVLO）。 - 两个通道可以并行连接，以加倍驱动电流。 - 独立的输入（TTL兼容）。 - 快速传播时间（典型25ns）。 - 快速上升和下降时间（分别14ns和12ns，2nF负载）。 - 提供双非反相、双反相和组合配置。 - 有SOIC和MSOP-PowerPAD两种封装。

功能详解： - 包含欠压锁定（UVLO）电路，当VCC到VEE电压差低于2.8V时，两个驱动通道被禁用。 - 输出阶段设计为复合结构，MOS和双极晶体管并行操作，优化了电流能力。 - 控制输入为高阻抗CMOS缓冲器，具有TTL兼容的阈值电压。

应用信息： - 常用于高频电源供应、同步整流器栅极驱动、开关模式电源栅极驱动、电磁阀和电机驱动等。 - 设计时需考虑VCC和功耗，以及布局和热管理。