物料型号：LM5113
器件简介：LM5113是一款用于同步降压或半桥配置中的增强型氮化镓(GaN) FET的高频高侧和低侧栅极驱动器。该芯片能够驱动高侧增强型GaN FET，工作电压高达100V。高侧偏置电压采用自举技术产生，并在内部被限制在5.2V，以防止栅极电压超过增强型GaN FET的最大栅源电压额定值。
引脚分配：
- VDD：5V正栅驱动电源，应尽可能靠近IC进行解耦。
- HB：高侧栅驱动自举轨，自举电容的正端应连接到HB，负端连接到HS。
- HOH/HOL：高侧栅驱动开通/关断输出，连接到高侧GaN FET的栅极。
- HS：高侧GaN FET源连接。
- HI/LI：高/低侧驱动控制输入，具有TTL逻辑兼容性。
- VSS：地返回。
- LOL/LOH：低侧栅驱动沉流/源流输出，连接到低侧GaN FET的栅极。
- 暴露垫：推荐将IC底部的暴露垫焊接到印刷电路板上的接地层，以帮助散热。
参数特性：包括但不限于：
- 独立高侧和低侧TTL逻辑输入
- 高侧浮动偏置电压轨，可操作高达100V的电压
- 内部自举供电电压钳位
- 分离输出，可调节开通/关断强度
- 快速传播时间（典型值28ns）
- 优秀的传播延迟匹配（典型值1.5ns）
- 供应轨欠压锁定
- 低功耗
功能详解：LM5113设计用于驱动高侧和低侧的增强型GaN FETs，具有独立的TTL逻辑兼容输入，并可承受高达14V的输入电压。该芯片具备分裂栅极输出，提供调整开通和关断强度的灵活性。此外，LM5113具有低功耗运行能力，且在WSON-10引脚封装中包含一个暴露垫以助于散热。
应用信息：适用于商业电信整流器、商业DC/DC、闭环步进电机驱动、基带单元(BBU)和宏远射无线电单元(RRU)等。
