LMG5200

物料型号：LMG5200

器件简介：LMG5200是一款集成了15-mΩ GaN FETs和驱动器的80-V，10-A GaN半桥功率级。

它由两个80-V GaN FETs组成，由一个高频GaN FET驱动器以半桥配置驱动。

该设备在一个完全无键合线的平台上架设，最小化了封装寄生元素。

LMG5200设备提供6 mm × 8 mm × 2 mm的无铅封装，易于安装在PCB上。

引脚分配： - HB：半桥的高侧GaN FET - HS：半桥的高侧GaN FET的同步引脚 - HI：高侧GaN FET的输入 - HO：高侧GaN FET的输出 - LI：低侧GaN FET的输入 - LO：低侧GaN FET的输出 - VCC：电源 - AGND：模拟地 - PGND：功率地 - SW：半桥的开关节点

参数特性： - 80-V连续，100-V脉冲电压额定值 - 非常低的共源电感，确保在硬开关拓扑中不引起过度振荡的情况下实现高斜率开关 - 内置自举供电电压钳位，防止GaN FET过驱动 - 低功耗，典型传播延迟29.5 ns，匹配2 ns

功能详解： - 该设备提供了一个集成的电源级解决方案，使用增强型氮化镓(GaN) FETs，具有近零反向恢复和非常小的输入电容CISS。

- 优化用于硬开关拓扑的非常低的共源电感，以确保高斜率开关而不会引起过度振荡。

- 内置自举供电电压钳位，防止GaN FET过驱动。

- 低功耗，典型传播延迟29.5 ns，匹配2 ns。

应用信息： - 适用于需要高频、高效率操作的小尺寸应用。

- 与TPS53632G控制器一起使用时，LMG5200可以实现从48-V到点负载电压(0.5-1.5 V)的直接转换。

- 应用领域包括宽VIN多MHz同步降压转换器、音频类D放大器、48-V点负载(POL)转换器以及电信、工业和企业计算的高功率密度单相和三相电机驱动。

封装信息：LMG5200设备提供6 mm × 8 mm × 2 mm的无铅封装。