ONET8541T

ONET8541T

  • 厂商:

    TI

  • 封装:

  • 描述:

    11.3 Gbps Limiting Transimpedance Amplifier with RSSI . datasheet (Rev. A)

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
ONET8541T 数据手册
ONET8541T
物料型号:ONET8541T

器件简介:ONET8541T 是德州仪器 (Texas Instruments) 生产的一款高速、高增益、限幅跨阻放大器,用于数据速率高达 11.3Gbps 的光接收机中。

它具有低输入参考噪声、9GHz 带宽、4kΩ 小信号跨阻和接收信号强度指示 (RSSI)。


引脚分配:该芯片在裸片形式下,包含以下引脚: - GND(接地端) - OUT+(非反相CML数据输出) - VCC_OUT(电压和CML放大器的2.97V-3.63V供电电压) - VCC_IN(输入TIA级的2.97V-3.63V供电电压) - FILTER(为光电二极管阴极提供偏置电压) - IN(TIA的数据线输入,即光电二极管阳极) - NC(不连接) - RSSI_IB(内部偏置的RSSI模拟输出电流) - RSSI_EB(外部偏置的RSSI模拟输出电流) - OUT-(反相CML数据输出)

参数特性: - 单3.3V供电 - 9GHz带宽 - 4kΩ差分小信号跨阻 - 输入参考噪声为 $0.95 \mu A_{RMS}$ - 输入过载电流为 $2.5 mApp$ - 典型功耗为90mW - 工作温度范围:-40°C至100°C

功能详解: - 信号路径包括跨阻放大器级、电压放大器和CML输出缓冲器。

- 内置滤波器电路为PIN光电二极管和跨阻放大器提供滤波后的Vcc。

- AGC和RSSI:内部偏置和RSSI控制电路在PIN二极管使用FILTER引脚偏置时监测内部光电二极管供电滤波电阻上的电压降。


应用信息:ONET8541T 适用于10G以太网、8G和10G光纤通道、10G EPON、SONET OC-192、6G CPRI和OBSAI等高速通信应用。


封装信息:ONET8541T 以裸片形式提供,包含芯片上的Vcc旁路电容,并针对TO罐头封装进行了优化。
ONET8541T 价格&库存

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