物料型号:SN54ABTH162260 和 SN74ABTH162260
器件简介:
- 这些是12位到24位的多路复用D型锁存器,用于两个独立数据路径必须被多路复用或解多路复用到单一数据路径的应用中。
典型的应用包括微处理器或总线接口应用中地址和数据信息的多路复用和/或解多路复用。
这些设备在内存交错应用中也很有用。
引脚分配:
- SN54ABTH162260:WD封装,56引脚
- SN74ABTH162260:DL封装,56引脚
- 引脚包括OE1B、OE2B、OEA(输出使能)、LE1B、LE2B、LEA1B、LEA2B(锁存使能)、Vcc(电源)、GND(地)、SEL(选择)、A1-A12、1B1-1B12、2B1-2B12(I/O端口)。
参数特性:
- 电源电压范围:-0.5V至7V
- 输入电压范围:Vj(见注释1)
- 输出在高电平或电源关闭状态下的电压范围:Vo -0.5V至5.5V
- 输入钳位电流、输出钳位电流
- 封装热阻:DL封装 74°C/W
- 存储温度范围:-65°C至150°C
功能详解:
- 三个12位I/O端口(A1-A12、1B1-1B12、2B1-2B12)用于地址和/或数据传输。
- 输出使能(OE1B、OE2B、OEA)输入控制总线收发器功能。
- 锁存使能(LE1B、LE2B、LEA1B、LEA2B)输入控制数据存储。
- B端口输出设计为可吸收高达12mA的电流,并包含等效25Ω系列电阻以减少过冲和下冲。
应用信息:
- 用于微处理器或总线接口应用中地址和数据信息的多路复用和/或解多路复用。
- 在内存交错应用中也很有用。
封装信息:
- SN54ABTH162260:WD封装
- SN74ABTH162260:DL封装
- 封装选项包括塑料300-mil缩减小外形(DL)封装和380-mil细间距陶瓷扁形(WD)封装。
注意:文档中还包含了电气特性、绝对最大额定值、推荐操作条件、产品预览信息、封装选项附加信息和机械数据等详细信息。