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TPD3F303

TPD3F303

  • 厂商:

    TI

  • 封装:

  • 描述:

    TPD3F303 ESD Protection and EMI Filter for SIM Card Interface datasheet (Rev. A)

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
TPD3F303 数据手册
TPD3F303
物料型号: - TPD3F303

器件简介: TPD3F303是一款高度集成的器件,提供三通道电磁干扰(EMI)滤波器和基于瞬态电压抑制器(TVS)的ESD保护二极管阵列。C-R-C低通滤波器为SIM卡接口的数据、时钟和复位线提供EMI保护。此外,四通道TVS二极管阵列为前述信号(数据、时钟、复位)和VCC电源线提供IEC 61000-4-2等级4的ESD保护。TPD3F303包含一个47-Ω的时钟线终止电阻和100-Ω的数据和复位线的终止电阻。该器件适用于手机、平板电脑、热点设备和PDA等应用。

引脚分配: - CLK_OUT (2): 输出,时钟输入输出信号。 - CLK_IN (7): 输入,时钟输入信号。 - DATA1_IN (8): 输入,数据和复位信号输入,DATA1和DATA2是对称电路,可以互换用作数据或复位引脚。 - DATA2_IN (6): 输入,数据和复位信号输入。 - DATA1_OUT (1): 输出,数据和复位信号输出。 - DATA2_OUT (3): 输出,数据和复位信号输出。 - GND: 接地,EMI滤波器的接地连接,非常重要。 - NC (4): 无连接,不连接到任何内部电路。 - VCC (5): 电源钳位,VCC引脚的ESD钳位电路。

参数特性: - 3-dB带宽:300 MHz - IEC 61000-4-2等级4 ESD保护:±15-kV接触放电和±15-kV空气间隙放电 - DC击穿电压:最小6V - 低漏电流:最大0.1 µA

功能详解: TPD3F303提供双向EMI滤波和线终止,并集成了ESD保护。所有引脚的ESD保护超过了IEC 61000-4-2等级4标准。DC击穿电压至少为6V,I/O引脚具有最大0.1 µA的低漏电流。采用低噪声C-R-C滤波拓扑结构,集成VCC钳位消除了外部ESD保护的需求。

应用信息: - 终端设备:手机、平板电脑、PDA、热点设备 - 接口:SIM卡

封装信息: - TPD3F303提供WSON (8) 和USON (8)两种封装选项,具体尺寸分别为1.35 mmx1.70 mm和1.60 mmx2.10 mm。
TPD3F303 价格&库存

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