TPS51117

1. 物料型号： - TPS51117

2. 器件简介： - TPS51117是一款高效率、低功耗的同步降压控制器，具有4.5-μA的典型关断电流，适合于笔记本电脑等应用。该控制器专为自适应On-Time D-CAP模式设计，提供易用性、低外部组件数量和快速瞬态响应。支持自动跳过模式以在毫安级负载范围内实现高效率，或PWM-only模式以实现低噪声运行。

3. 引脚分配： - TPS51117有14个引脚，包括高侧NFET栅极驱动输出（DRVH）、低侧NFET栅极驱动输出（DRVL）、使能/省电引脚（EN PSV）、地（GND）、高侧NFET栅极驱动返回（LL）、低侧NFET栅极驱动地（PGND）、电源良好信号（PGOOD）、开/关时间/频率调整引脚（TON）、过流保护触发点设置输入（TRIP）、高侧NFET栅极驱动供电输入（VBST）、降压控制器电压反馈输入（VFB）、降压控制器输出（VOUT）、5V FET栅极驱动供电输入（V5DRV）和5V控制电路供电输入（V5FILT）。

4. 参数特性： - 固定频率模拟开时间控制，可在100 kHz至550 kHz之间调整。 - D-CAP模式下，负载阶跃响应时间为100纳秒。 - 初始参考精度小于1%。 - 输出电压范围为0.75 V至5.5 V。 - 宽输入电压范围为1.8 V至28 V。 - 可选用自动跳过/PWM-only操作。 - 温度补偿为4500 ppm/°C。 - 低侧RDS(on)过流保护。 - 集成升压二极管。 - 集成OVP/UVP和热关断。 - 电源良好信号。 - 内部1.2毫秒电压软启动。 - 集成输出放电（软停止）。

5. 功能详解： - TPS51117采用自适应开时间控制方案，没有内置振荡器，但通过前馈输入和输出电压模拟恒定频率。支持自适应开时间控制或固定频率模拟开时间控制。支持PWM频率和自适应开时间控制，低侧驱动设计用于驱动高电流、低RDS(on) N沟道MOSFETs，高侧驱动设计用于驱动高电流、低RDS(on) N沟道MOSFETs。内部1.2-ms电压伺服软启动和过流保护。电源良好输出，输出放电控制（软停止），过流限制，欠压和过压保护，以及热关断功能。

6. 应用信息： - 适用于笔记本电脑、I/O电源和系统电源供应。

7. 封装信息： - TPS51117提供14引脚VQFN和14引脚TSSOP封装，规格从-40°C至85°C。