TPS51216

1. 物料型号：TPS51216

2. 器件简介： - TPS51216提供完整的DDR2、DDR3和DDR3L内存电源解决方案，集成了同步降压控制器（VDDQ）、2A沉/源跟踪LDO（VTT）和缓冲低噪声参考（VTTREF）。 - 该器件采用D-CAP™模式，结合300 kHz/400 kHz频率，易于使用且能快速响应瞬态变化。 - VTTREF跟踪VDDQ/2精度在0.8%以内。VTT提供2A沉/源峰值电流能力，仅需10μF陶瓷电容。 - 还有专门的LDO供电输入可用。

3. 引脚分配： - 20引脚，3 mm × 3 mm，QFN封装。

4. 参数特性： - 工作温度范围：-40°C至85°C。 - VDDQ降压转换电压范围：3V至28V。 - VDDQ输出电压范围：0.7V至1.8V。 - 参考电压准确度：0.8%。 - 支持300 kHz/400 kHz开关频率。 - 优化轻载和重载效率，具备自动跳过功能。 - 支持S4/S5状态的软关断。 - 具备OCL/OVP/UVP/UVLO保护和Powergood输出。

5. 功能详解： - TPS51216提供灵活的电源状态控制，包括在S3状态将VTT置于高阻态，以及在S4/S5状态放电VDDQ、VTT和VTTREF（软关断）。 - 具备可编程OCL，低侧MOSFET $R_{DS(on)}$ 感应，OVP/UVP/UVLO和热关断保护。

6. 应用信息： - 适用于DDR2/DDR3/DDR3L内存电源，包括SSTL_18、SSTL_15、SSTL_135和HSTL终止。

7. 封装信息： - 20引脚，3 mm × 3 mm，QFN封装。