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ULN2003B

ULN2003B

  • 厂商:

    TI

  • 封装:

  • 描述:

    ULN2003B High-Voltage, High-Current Darlington Transistor Array datasheet (Rev. B)

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
ULN2003B 数据手册
ULN2003B
物料型号:ULN2003B 器件简介:ULN2003B 是一款高压、大电流达林顿晶体管阵列,包含七个NPN达林顿对,每个对的集电极电流额定值为500mA,具有高电压输出和用于开关感性负载的共阴极钳位二极管。

该器件还为每个达林顿对配备了2.7kΩ的串联基极电阻,可直接与TTL或CMOS设备配合使用。

引脚分配:1B-7B为达林顿基极输入,1C-7C为达林顿集电极输出,COM为共阴极节点,E为所有通道共用的发射极。

参数特性:集电极-发射极电压最高50V,输入电压最高30V,集电极电流可达500mA,输出钳位电流最高500mA,发射极总电流最高-2.5A,工作结温最高150℃,存储温度范围-65℃至150℃。

功能详解:ULN2003B 用于驱动高电压和/或大电流的负载,如继电器、灯泡、小型电机和LED。

支持容性负载驱动和感性负载驱动。

应用信息:适用于继电器驱动器、灯泡驱动器、显示器驱动器(LED和气体放电)和线路驱动器。

封装信息:ULN2003BN(PDIP-16)、ULN2003BD(SOIC-16)、ULN2003BPW(TSSOP-16)。


以上信息摘自德州仪器公司提供的ULN2003B数据手册。
ULN2003B 价格&库存

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ULN2003BDR
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