物料型号:
- T14M1024A
器件简介:
- T14M1024A是一款一兆位密度、快速静态随机存取存储器,组织为131,072个词×8位。它适用于高性能存储器应用,如主存储器存储和高速通信缓冲区。采用高性能CMOS技术制造,访问时间可低至10纳秒。通过芯片使能引脚CE1和CE2,可以轻松实现存储器扩展。
引脚分配:
- A0-A16:地址输入
- /D0-D7/:数据输入/输出
- CE1、CE2:芯片选择输入
- WE:写使能
- OE:输出使能
- Vcc:电源
- Vss:地
参数特性:
- 供电电压:4.5V至5.5V
- 输入低电压:-0.5V至0.8V
- 输入高电压:2.2V至Vcc+0.5V
- 输入泄漏电流:小于5uA
- 输出泄漏电流:小于5uA
- 输出低电压:小于0.4V
- 输出高电压:2.4V
- 操作电源电流:110mA至105mA至100mA
- 待机功耗:25mA
- 供电电流:小于5mA
功能详解:
- 该SRAM支持快速地址访问时间(10/12/15纳秒)、单一5V+10%电源供电、低功耗、TTL I/O兼容、2.0V数据保持模式、未选中时自动断电下降等功能。
应用信息:
- 设计用于高性能存储器应用,如主存储器存储和高速通信缓冲区。
封装信息:
- 标准32引脚300 mil SOJ和32引脚TSOP-I封装。