### 物料型号
- 型号:2SK2399
- 制造商:TOSHIBA
### 器件简介
2SK2399是一款N沟道MOS型场效应晶体管,适用于高速、高电流开关应用,如斩波调节器、DC-DC转换器和电机驱动应用。
### 引脚分配
- 1. GATE(门极)
- 2. DRAIN(漏极,通常接散热器)
- 3. SOURCE(源极)
### 参数特性
- 门极驱动电压:4V
- 漏-源导通电阻:\( R_{DS}(ON) = 0.17 \Omega \)(典型值)
- 高正向传输导纳:\( |Y_{fs}| = 4.5 ~S \)(典型值)
- 低漏电流:\( I_{DSS} = 100 \mu A \)(最大值,\( V_{DS} = 100 ~V \))
### 功能详解
- 增强模式:阈值电压 \( V_{th} = 0.8 \sim 2.0 V \)(\( V_{DS} = 10 V, I_{D} = 1 mA \))
### 应用信息
该晶体管是静电敏感器件,需要小心处理。
### 封装信息
- JEDEC:SC-64
- TOSHIBA:2-7B1B(对于GATE DRAIN)和2-7B2B(对于SOURCE)