2SK3756(TE12L,F)

1. 物料型号：2SK3756 2. 器件简介：东芝公司生产的N沟道MOS型场效应晶体管，适用于VHF和UHF频段的放大器应用，特别指出该器件仅适用于电信设备的高频功率放大器。 3. 引脚分配：1. GATE（栅极）, 2. SOURCE（源极）, 3. DRAIN（漏极）。 4. 参数特性： - 输出功率：典型值为32dBmW。 - 增益：典型值为12dB。 - 漏极效率：典型值为60%。 - 绝对最大额定值包括漏源电压7.5V、栅源电压3V、漏极电流1A、功率耗散3W、沟道温度150℃、存储温度范围-45到150℃。 5. 功能详解：文档中提供了详细的电气特性表，包括输出功率、漏极效率、功率增益、阈值电压、漏源截止电流和栅源漏电流等参数，并提供了测试条件。 6. 应用信息：该器件对静电放电敏感，处理时需确保工具和设备接地。产品使用限制包括不得用于需要极高质量和/或可靠性的设备或系统，以及不得用于违反任何适用法律或法规的制造、使用或销售的产品或系统中。 7. 封装信息：封装类型为TOSHIBA 2-5K1D，符合JEDEC和JEITA SC-62标准。重量大约为0.05克。