4N29

4N29

  • 厂商:

    TOSHIBA(东芝)

  • 封装:

  • 描述:

    4N29 - TOSHBA PHOTOCOUPLER GaAs IRED & PHOTO-TRANSISTOR - Toshiba Semiconductor

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4N29 数据手册
4N29
物料型号: - 型号包括4N29, 4N29A, 4N30, 4N31, 4N32, 4N32A, 4N33(Short)。

器件简介: - 这些器件是TOSHIBA生产的光耦,由砷化镓红外发射二极管与硅光达林顿晶体管组成,封装在双列直插式封装中。

引脚分配: - 引脚配置(顶视图):1为阳极(ANODE),2为阴极(CATHODE),3为不连接(N.C.),4为发射极(EMITTER),5为集电极(COLLECTOR),6为基极(BASE)。

参数特性: - 最大额定值(Ta=25°C): - LED正向连续电流(IF):80mA - 正向电流降额(AIF/°C):1.07mA/°C - 峰值正向电流(IpF):3A - 功率耗散(PD):150mW - 反向电压(VR):3V - 集电极-发射极电压(BVCEO):30V - 集电极-基极电压(BVCBO):30V - 发射极-集电极电压(BVECO):5V - 集电极电流(IC):100mA - 功率耗散(PC):150mW - 存储温度范围(Tstg):-55~150°C - 工作温度范围(Topr):-55~100°C - 引脚焊接温度(Tsol):260°C - 总封装功率耗散(PT):250mW

功能详解: - 这些光耦具有数字逻辑隔离功能,适用于交流线路隔离、数字逻辑隔离、电话线接收器、双绞线接收器和继电器接触监测等应用。

应用信息: - 这些产品适用于一般电子应用,如计算机、个人设备、办公设备、测量设备、工业机器人、家用电器等。不适用于需要极高质量和/或可靠性的设备,或其故障可能导致人员伤亡的设备。

封装信息: - 封装类型为双列直插式封装,重量为0.4g。

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