### 物料型号
- 型号：GT5J311, GT5J311(SM)
### 器件简介
- 这是一款第三代增强型、高速的N通道IGBT，适用于高功率开关应用和电机控制应用。
### 引脚分配
- GATE COLLECTOR (HEAT SINK)：1
- EMITTER：3
### 参数特性
- 最大额定值：
- 集电极-发射极电压（VCES）：600V
- 栅极-发射极电压（VGES）：±20V
- 集电极电流（DC, IC）：5A（连续）
- 集电极电流（1ms, ICP）：10A（脉冲）
- 发射极-集电极正向电流（DC, IF）：5A（连续）
- 发射极-集电极正向电流（1ms, IFM）：10A（脉冲）
- 结温（Tj）：150℃
- 存储温度范围（Tstg）：-55~150℃
- 电气特性（Ta=25℃）：
- 栅漏电流（IGES）：±500nA
- 集电极截止电流（ICES）：1.0mA
- 栅-发射极截止电压（VGE (OFF)）：5.0~8.0V
- 集电极-发射极饱和电压（VCE (sat)）：2.1~2.7V
- 输入电容（Cies）：650pF
- 开关时间（tr, ton, tf, toff）：0.12s/0.40s/0.15s/0.50s
- 前向峰值电压（VF）：1.8V
- 反向恢复时间（trr）：200ns
- 热阻（Rth(j-c)）：IGBT 2.8℃/W, 二极管 3.76℃/W
### 功能详解
- 该IGBT具有低饱和电压和高速开关特性，适合于需要高效率和快速响应的应用场合。
### 应用信息
- 主要应用于电机控制领域。
### 封装信息
- GT5J311(SM)的重量为1.4g，封装类型在文档中未明确说明，但通常这种类型的IGBT会采用适合高功率应用的封装。
