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MP4101

MP4101

  • 厂商:

    TOSHIBA(东芝)

  • 封装:

  • 描述:

    MP4101 - POWER TRANSISTOR MODULE SILICON NPN EPITAXIAL TYPE - Toshiba Semiconductor

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
MP4101 数据手册
MP4101
1. 物料型号: - 型号名称:MP4101 - 制造商:TOSHIBA

2. 器件简介: - MP4101是一款由东芝公司生产的硅NPN外延型达林顿功率晶体管模块,集成了4个达林顿功率晶体管。 - 适用于高功率开关应用,如感应负载开关。

3. 引脚分配: - 小型封装通过全模塑(SIP 10引脚)实现。

4. 参数特性: - 最大额定值: - 集电极-基极电压(VCBO):60V±10% - 集电极-发射极电压(VCEO):60V±10% - 发射极-基极电压(VEBO):6V - DC集电极电流脉冲(IC):4A - 连续基极电流(IB):0.5A - 单个器件操作的集电极功耗(PC):2.0W - 四个器件操作的集电极功耗(PT):4.0W - 结温(Tj):150℃ - 存储温度范围(Tstg):-55~150℃

5. 功能详解: - 包含齐纳二极管在集电极和基极之间。 - 电气特性(Ta=25℃): - 集电极截止电流(ICBO):10mA时为10μA - 发射极截止电流(IEBO):6V时为0.6mA至20mA - 集电极-基极击穿电压(V(BR)CBO):50至70V - 集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO):50至70V - DC电流增益(hFE):在VCE=2V, Ic=1A时最小为2000 - 饱和电压(VCE(sat)):在Ic=3A, Ig=10mA时为1.5V - 基-发射饱和电压(VBE(sat)):在Ic=3A, IB=10mA时为2.0V - 过渡频率(fT):在VCE=2V, Ic=0.5A时为60MHz - 集电极输出电容(Cob):在VCB=10V, Ip=0A, f=1MHz时为30pF - 开关时间:开通时间(ton)为0.2s,存储时间(tstg)为3.0s,下降时间(tf)为0.5s

6. 应用信息: - 适用于工业应用。

7. 封装信息: - 封装类型:SIP 10引脚封装。 - 重量:2.1g。 - 阵列配置:文档中提供了阵列配置的图像链接。
MP4101 价格&库存

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