MP4209

物料型号： - 型号：MP4209 - 制造商：TOSHIBA

器件简介： - MP4209是东芝公司生产的功率MOSFET模块，属于N沟道硅MOS类型。 - 适用于高功率、高速开关应用，如打印头引脚驱动器、脉冲电机驱动器和螺线管驱动器。 - 具有4V门驱动能力，小尺寸封装（SIP 10引脚）。 - 具有高漏极功耗散能力（4个设备操作）。

引脚分配： - 2, 4, 6, 8为栅源（GATE SOURCE） - 3, 5, 7, 9为漏极（DRAIN），PIN1和PIN10在内部是断开的。

参数特性： - 漏极-源极电压（VDSS）：100V - 漏极-栅极电压（VDGR）：100V - 栅极-源极电压（VGSS）：±20V - 漏极电流（ID）：3A - 漏极电流脉冲（IDP）：12A - 单个脉冲雪崩能量（EAS）：140mJ - 雪崩电流（IAR）：3A - 重复雪崩能量（EAR/EART）：0.2-0.4mJ - 通道温度（Tch）：150℃ - 存储温度范围（Tstg）：-55~150℃

功能详解： - 低漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）：0.28Ω（典型值） - 高正向传输导纳（Yfl）：3.5S（典型值） - 低漏电流（IGSS）：±10μA（最大值，VGS=±16V）

应用信息： - 工业应用：用于各种工业场合，具体应用未详细说明。

封装信息： - JEDEC、EIAJ标准封装。 - 东芝标准封装型号：2-25A1C - 重量：2.1g（典型值）