MT3S04AT

MT6L57AE 東芝トランジスタ シリコン NPN エピタキシャルプレーナ形 MT6L57AE ○ VHF~UHF 帯低雑音増幅用/ 低電圧動作· 低位相雑音タ イプ · 超小型·薄型エクストリームスーパーミニ (6 ピン) ES6 パッケージに 2 素 子を内蔵しています。 単位: mm 搭載チップ 搭載チップ Q1: SSM (TESM) 相当する 3 ピン (SSM/TESM) モールド製品 MT3S06S (MT3S06T) Q2: SSM (TESM) MT3S04AS (MT3S04AT) 最大定格 最大定格 (Ta = 25°C) 項 目 記号 VCBO VCEO VEBO IC IB PC (注 1) Tj Tstg Q1 10 5 1.5 15 7 100 125 -55~125 Q2 10 5 2 40 10 単位 V V V mA mA mW °C °C コレクタ･ベース間電圧 コレクタ･エミッタ間電圧 エミッタ･ベース間電圧 コ ベ コ 接 保 レ ー レ 合 存 ク ク ス タ 温 温 タ 電 電 損 流 流 失 度 度 JEDEC JEITA 東 芝 ― ― 2-2N1C 質量: 0.003 g (標準) 注 1: Q1、Q2 トータルの許容損失 現品表示 現品表示 内部接続 内部接続 1 2003-03-28 MT6L57AE 電気的特性 Q1 (Ta = 25°C) 項 コ エ 直 レク ミッ 流 タし タし 電 流 目 ゃ断電 ゃ断電 増 幅 流 流 率 記号 ICBO IEBO hFE fT ïS21eï2 (1) ïS21eï2 (2) NF (1) NF (2) Cre 測定条件 VCB = 5 V, IE = 0 VEB = 1 V, IC = 0 VCE = 1 V, IC = 5 mA VCE = 3 V, IC = 5 mA VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz VCE = 3 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz VCB = 1 V, IE = 0, f = 1 MHz (注 2) 最小 ¾ ¾ 70 7 ¾ 4.5 ¾ ¾ ¾ 標準 ¾ ¾ ¾ 10 7.5 8 1.7 1.6 0.35 最大 0.1 1 140 ¾ ¾ ¾ 3 3 0.75 GHz dB 単位 mA mA トランジション周波数 挿 入 電 力 利 得 雑 帰 音 還 指 容 数 量 dB pF 注 2: Cre は 3 端子法でエミッタ端子をブリッジのガード端子に接続して測定する。 電気的特性 電気的特性 Q2 (Ta = 25°C) 項 コ エ 直 レク ミッ 流 タし タし 電 流 目 ゃ断電 ゃ断電 増 幅 流 流 率 記号 ICBO IEBO hFE fT (1) fT (2) ïS21eï2 (1) ïS21eï (2) NF (1) NF (2) Cre 2 測定条件 VCB = 5 V, IE = 0 VEB = 1 V, IC = 0 VCE = 1 V, IC = 5 mA VCE = 1 V, IC = 5 mA VCE = 3 V, IC = 7 mA VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 1 GHz VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 1 GHz VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 1 GHz VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz VCB = 1 V, IE = 0, f = 1 MHz (注 2) 最小 ¾ ¾ 80 2 5 ¾ 7.5 ¾ ¾ ¾ 標準 ¾ ¾ ¾ 4.5 7 8.5 11 1.3 1.2 0.9 最大 0.1 1 160 ¾ ¾ ¾ ¾ 2.2 2 1.25 単位 mA mA トランジション周波数 GHz 挿 入 電 力 利 得 dB 雑 帰 音 還 指 容 数 量 dB pF 注 2: Cre は 3 端子法でエミッタ端子をブリッジのガード端子に接続して測定する。 取り扱い上の注意 取り扱い上の注意 この製品は構造上静電気に弱いため製品を取り扱う際、 作業台･人･はんだごてなどに対し必ず静電対策を講じてくださ い。 2 2003-03-28