1. 物料型号：RN1116
2. 器件简介：RN1116是一款内置偏置电阻的硅NPN外延型双极晶体管，适用于开关、反相器电路、接口和驱动电路。
3. 引脚分配：1号引脚为基极（Base），2号引脚为发射极（Emitter），3号引脚为集电极（Collector）。
4. 参数特性：
- 集电极-基极电压（VCBO）：50V
- 集电极-发射极电压（VCEO）：50V
- 发射极-基极电压（VEBO）：7V
- 集电极电流（Ic）：100mA
- 集电极功耗（Pc）：100mW
- 结温（Tj）：150℃
- 存储温度（Tstg）：-55℃至150℃
5. 功能详解：RN1116具有内置偏置电阻，减少了外部元件数量，有助于减小系统尺寸和组装时间。东芝提供具有不同电阻范围的晶体管，以适应各种电路设计。
6. 应用信息：RN1116适用于需要开关和驱动功能的电路设计，如开关电源、电机控制等。
7. 封装信息：RN1116采用SSM封装，尺寸为1.6mm x 3mm x 0.67mm，重量约为2.4毫克。
