1. 物料型号:RN1116
2. 器件简介:RN1116是一款内置偏置电阻的硅NPN外延型双极晶体管,适用于开关、反相器电路、接口和驱动电路。
3. 引脚分配:1号引脚为基极(Base),2号引脚为发射极(Emitter),3号引脚为集电极(Collector)。
4. 参数特性:
- 集电极-基极电压(VCBO):50V
- 集电极-发射极电压(VCEO):50V
- 发射极-基极电压(VEBO):7V
- 集电极电流(Ic):100mA
- 集电极功耗(Pc):100mW
- 结温(Tj):150℃
- 存储温度(Tstg):-55℃至150℃
5. 功能详解:RN1116具有内置偏置电阻,减少了外部元件数量,有助于减小系统尺寸和组装时间。东芝提供具有不同电阻范围的晶体管,以适应各种电路设计。
6. 应用信息:RN1116适用于需要开关和驱动功能的电路设计,如开关电源、电机控制等。
7. 封装信息:RN1116采用SSM封装,尺寸为1.6mm x 3mm x 0.67mm,重量约为2.4毫克。