物料型号:
- RN1441、RN1442、RN1443、RN1444
器件简介:
- 东芝生产的硅NPN外延型晶体管(PCT工艺)。
- 适用于静音和开关应用。
- 具有高发射极-基极电压(VEBO = 25V(最小值))。
- 高反向hFE(反向hFE = 150(典型值))。
- 低导通电阻(RON = 1Ω(典型值))。
- 内置偏置电阻,简化电路设计,减少元件数量和制造过程。
引脚分配:
- S-MINI发射极。
- COLLECTOR集电极。
参数特性:
- JEDEC:TO-236MOD
- EIAJ:SC-59
- TOSHIBA:2-3F1A
- 重量:0.012g
绝对最大额定值(Ta=25℃):
- 集电极-基极电压(VCBO):50V
- 集电极-发射极电压(VCEO):20V
- 发射极-基极电压(VEBO):25V
- 集电极电流(Ic):300mA
- 集电极功耗(Pc):200mW
- 结温(Tj):150℃
- 存储温度范围(Tstg):-55~150℃
功能详解:
- 该型号晶体管具有较高的反向hFE和低导通电阻,内置偏置电阻有助于简化电路设计,减少元件数量和制造过程。
应用信息:
- 适用于一般电子应用,如计算机、个人设备、办公设备、测量设备、工业机器人、家用电器等。
封装信息:
- JEDEC:TO-236MOD
- EIAJ:SC-59
- TOSHIBA:2-3F1A