物料型号：
- 型号为2SK1119，由TOSHIBA生产。
器件简介：
- 2SK1119是一个高速、高电流的硅N沟道MOS场效应晶体管，适用于DC-DC转换器和电机驱动应用。
引脚分配：
- GATE（2号引脚）
- DRAIN（3号引脚，通常与散热器相连）
- SOURCE（1号引脚）
参数特性：
- 最大额定值（Ta=25°C）：
- 漏-源电压（VDSS）：1000V
- 漏-栅电压（VDGR，RGs=20kΩ）：1000V
- 栅-源电压（VGSS）：±20V
- 漏电流（DC，ID）：4A
- 脉冲漏电流（IDP）：12A
- 漏功耗（PD，Tc=25°C）：100W
- 沟道温度（Tch）：150°C
- 存储温度范围（Tstg）：-55~150°C
功能详解：
- 低漏源导通电阻（RDS(ON)）：典型值为3.0Ω
- 高正向传输导纳（|Yfs|）：典型值为2.0S
- 低漏电流（IDs）：最大值为300μA（VDS=800V）
- 增强模式工作（Vth）：1.5~3.5V（VDS=10V，ID=1mA）
应用信息：
- 适用于工业应用。
封装信息：
- JEDEC封装：TO-220AB
- EIAJ封装：SC-46
- TOSHIBA封装：2-10P1B
热特性：
- 重量：2.0g（典型值）
- 热阻，沟道到外壳（Rth(ch-c)）：1.25°C/W
- 热阻，沟道到环境（Rth(ch-a)）：83.3°C/W
