SSM3J132TU,LF

厂商：
TOSHIBA(东芝)
封装：
UFM3
描述：
MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±6V ID=5.4A RDS(ON)=17mΩ@4.5V UFM3

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SSM3J132TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSⅥ) SSM3J132TU ○ Power Management Switch Applications • • 1.2-V drive Low ON-resistance: RDS(ON) = 94 mΩ (max) (@VGS = -1.2 V) RDS(ON) = 39 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 29 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 21 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 17 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) Unit: mm Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristic Symbol Rating Drain-Source voltage VDSS -12 V Gate-Source voltage VGSS ±6 V Drain current Power dissipation DC ID -5.4 Pulse IDP -10.8 PD (Note 1) 500 t

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SSM3J132TU,LF

物料型号：SSM3J132TU，由东芝公司生产。

器件简介：SSM3J132TU是一款P沟道MOS型（U-MOSⅥ）场效应晶体管，适用于功率管理开关应用。

引脚分配：1-栅极（Gate），2-源极（Source），3-漏极（Drain）。

参数特性：包括最大漏源电压、栅源电压、漏电流、功耗、通道温度和存储温度范围等。

功能详解：提供了详细的电气特性表，展示了在不同条件下的最小值、典型值和最大值。

应用信息：建议用户参考东芝半导体可靠性手册，评估适当的可靠性，并考虑散热设计。

封装信息：重量为6.6毫克（典型值），提供了JEDEC和JEITA的封装视图。

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