SSM3J133TU,LF

厂商：
TOSHIBA(东芝)
封装：
SMD3
描述：
特性：1.5V驱动低导通电阻：RDS(ON) = 88.4mΩ（最大值）(VGS =-1.5V)。 RDS(ON) = 56.0mΩ（最大值）(VGS =-1.8V)。 RDS(ON) = 39.7m...

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SSM3J133TU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSⅥ) SSM3J133TU ○ Power Management Switch Applications Unit: mm 1.5V drive Low ON-resistance: RDS(ON) = 88.4 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 56.0 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 39.7 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 29.8 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) 2.1±0.1 Symbol Rating Unit Drain-source voltage VDSS -20 V Gate-source voltage VGSS ±8 V DC ID (Note1) -5.5 Pulse IDP (Note1) -11.0 Drain current PD (Note2) power dissipation A 500 t

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SSM3J133TU,LF

PDF文档中包含以下信息：

1. 物料型号：型号为EL817，是一款光耦器件。

2. 器件简介：EL817是一种晶体管输出的光耦器件，具有高隔离电压和快速响应时间。

3. 引脚分配：EL817有6个引脚，包括输入侧的发光二极管引脚和输出侧的晶体管引脚。

4. 参数特性：包括最大正向电流、最大反向电压等电气参数。

5. 功能详解：EL817通过光电效应实现电信号的隔离传输。

6. 应用信息：适用于工业控制系统、医疗设备等需要信号隔离的场合。

7. 封装信息：EL817采用DIP-6封装。

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