物料型号:SSM3J372R
器件简介:SSM3J372R 是东芝公司生产的 P 沟道 MOSFET(U-MOS),适用于电源管理开关。
引脚分配:SOT-23F 封装,引脚编号及功能如下:
1. Gate(栅极)
2. Source(源极)
3. Drain(漏极)
参数特性:
- 工作电压:漏源电压(Vpss)最高 -30V,栅源电压(VGss)-12V 至 +6V
- 漏极电流(DC):-6.0A,脉冲漏极电流(lop)-24.0A
- 耗散功率:连续工作 1W,脉冲工作(t<10s)2W
- 通道温度(Tch)最高 150°C,存储温度(Tstg)-55 至 150°C
功能详解:
- 该器件为 AEC-Q101 认证产品,适用于汽车应用
- 工作电压低,栅极驱动电压为 1.8V
- 漏源导通电阻(RDS(ON))在不同栅极电压下的典型值分别为:
- -1.8V 时为 144 mΩ(最大值)
- -2.5V 时为 72.0 mΩ(最大值)
- -4.5V 时为 50.0 mΩ(最大值)
- -10V 时为 42.0 mΩ(最大值)
应用信息:适用于电源管理开关,特别是在汽车电子领域。
封装信息:采用 SOT-23F 封装,重量约为 0.011g,具体尺寸和视图在数据手册中有详细描述。
请注意,以上信息是根据您提供的链接中的数据手册摘要得出的。
如需更详细的技术规格和应用指南,建议查阅完整的数据手册。