物料型号为SSM3J378R，是一款P沟道MOSFET（U-MOS）。
主要应用于电源管理开关。
器件简介：
- AEC-Q101认证
- 1.5V门驱动电压
- 低漏源导通电阻：在不同门电压下的典型值为29.8 mΩ至88.4 mΩ
引脚分配：
- 1. 栅极（Gate）
- 2. 源极（Source）
- 3. 漏极（Drain）
参数特性：
- 漏源电压(Vpss)：-20V
- 栅源电压(VGss)：-8/+6V
- 漏极电流(lp)：连续-6.0A，脉冲-24.0A
- 功率耗散(Po)：1W（t≤10s），2W（t>10s）
- 通道温度(Tch)：150℃
- 存储温度(Tsto)：-55至150℃
功能详解：
- 低导通电阻
- 1.5V门驱动电压简化了驱动电路
- 适用于汽车应用
应用信息：
- 电源管理开关
- 适用于汽车和其他需要高可靠性的应用
封装信息：
- SOT-23F封装
- 典型重量：0.011g
请注意，使用前必须遵守TOSHIBA提供的所有相关指导和规格，以确保安全和性能。
