物料型号为SSM3J378R,是一款P沟道MOSFET(U-MOS)。
主要应用于电源管理开关。
器件简介:
- AEC-Q101认证
- 1.5V门驱动电压
- 低漏源导通电阻:在不同门电压下的典型值为29.8 mΩ至88.4 mΩ
引脚分配:
- 1. 栅极(Gate)
- 2. 源极(Source)
- 3. 漏极(Drain)
参数特性:
- 漏源电压(Vpss):-20V
- 栅源电压(VGss):-8/+6V
- 漏极电流(lp):连续-6.0A,脉冲-24.0A
- 功率耗散(Po):1W(t≤10s),2W(t>10s)
- 通道温度(Tch):150℃
- 存储温度(Tsto):-55至150℃
功能详解:
- 低导通电阻
- 1.5V门驱动电压简化了驱动电路
- 适用于汽车应用
应用信息:
- 电源管理开关
- 适用于汽车和其他需要高可靠性的应用
封装信息:
- SOT-23F封装
- 典型重量:0.011g
请注意,使用前必须遵守TOSHIBA提供的所有相关指导和规格,以确保安全和性能。