SSM3K16FU,LF

物料型号：SSM3K16FU 器件简介：东芝生产的高速开关应用和模拟开关应用的N沟道MOSFET晶体管。 引脚分配：文档中提供了引脚分配图，包括栅极(Gate)、源极(Source)和漏极(Drain)。 参数特性：包括最大漏源电压(Vps)、最大栅源电压(VGSS)、最大漏电流(IDC和IDP)、最大漏极功耗(Pp)、最高沟道温度(Tch)和存储温度范围(Tstg)。 功能详解：文档详细描述了器件的电气特性，如栅极漏电流(IGSS)、漏源击穿电压(V(BR)DSS)、栅阈值电压(Vth)、正向传输导纳(IYfs)、漏源导通电阻(RDS(ON))、输入电容(Ciss)、反向传输电容(Crss)和输出电容(Coss)等。 应用信息：适用于高密度安装，具有低导通电阻，适用于高速开关和模拟开关应用。 封装信息：提供了封装类型USM、JEDEC和JEITA SC-70的详细信息。